Доступная скорость: Обзор накопителя GoodRAM PX500 NVME PCIE Gen3 X4 1TB

Это идеальное решение для тех, кто не хочет переплачивать, но и не хочет терять в качестве.

Обзор GoodRAM PX500 NVME PCIE Gen3 X4 1TB

GoodRAM выпустила на рынок модуль M.2 со средней производительностью и очень интересной ценой с некоторыми характерными чертами этого бренда, который стремится выделиться среди остальных добавленными элементами.

Технические характеристики GoodRAM PX500 емкостью 1 ТБ:

• Емкость:  1 ТБ, 954 ГБ доступно для Windows.
• Интерфейс: M.2 PCIe NVMe Gen3 x4 (ключ M)
• Формат: M.2 шириной 22 мм, длиной 80 мм
• Тип памяти: 3D NAND FLASH
• Контроллер: SMI 2263XT
• Количество операций ввода-вывода в секунду: до 171 тысяч для чтения, 143 тысячи для записи
• Среднее время безотказной работы: 1 500 000 часов
• Рабочая температура: 0-70 градусов
• Размеры: 80x22x3,5 мм
• Скорость чтения данных: 2050 МБ / с.
• Скорость записи данных: 1650 МБ / с.

Дизайн

GoodRAM PX500 представляет собой формат блок M.2 с длиной 80 мм и 3,0 4x интерфейсом PCI Express со средними скоростями , что позволяет ему конкурировать с другими накопителями. Все благодаря использованию контроллера и современной памяти в формате TLC, которые позволяют получать хорошие результаты при умеренной цене и высокой прочности.

Планка GoodRAM PX500 22 мм шириной и 80 мм в длину, что является стандартным форматом m.2. Этот формат уже используется в 90% материнских плат, которым не больше двух-трех лет, а также ноутбуках.

Это очень стандартизованный формат, который позволяет использовать устройства одного типа как в настольных компьютерах, так и в компьютерах очень компактного формата, портативных компьютерах и т. д. В отношении этого устройства необходимо учитывать то, что для полного раскрытия его потенциала требуется слот M.2 Socket3 с интерфейсом PCI Express 3.0 4x. Это ограничивает количество совместимых компьютеров, но такой слот используется уже несколько лет, так что проблемы с совместимостью вряд ли будут.

Одна из самых поразительных особенностей этого устройства заключается в том, что он стандартно поставляется с небольшим радиатором в виде алюминиевой фольги на основных компонентах устройства, таких как флэш-память и контроллер устройства. Это улучшает температуру, сохраняя при этом физические характеристики диска и, таким образом, сохраняя его полную совместимость с настольными и портативными компьютерами.

Эта конструкция также не мешает дополнить его другими радиаторами большего размера, такими как те, что используются во многих материнских платах

Технические характеристики

Первое существенное изменение между SSD и NVMe заключается в том, что интерфейс может быть заметно шире с точки зрения пропускной способности. Эти типы устройств поддерживают до 4 каналов PCI Express 3.0, что обеспечивает пропускную способность до 32 Гбит / с (8 Гбит / с), что означает более 3000 Мбит / с реальной пропускной способности. В дисках SATA интерфейс ограничен, за исключением SATA Express (10 Гбит / с), до 6 Гбит / с, что означает ограничение последовательной скорости до 500-550 Мбит / с. Это потенциально в шесть раз медленнее просто из-за интерфейса, и это только начало. 

В протоколе NVMe, который долгое время использовался в профессиональных решениях, больше оптимизаций, начиная от значительного сокращения задержек чтения и записи, а также возможности использования многоядерных контроллеров, которые могут работать с операциями ввода и вывода данных параллельно. 

Вы получаете не только более высокую скорость последовательного доступа, но и меньшие задержки, и большую вычислительную мощность. Это три столпа, на которых строится производительность любого устройства хранения, и сочетание PCI Express и NVMe пока самое действенное сочетание. 

Компания GoodRAM гарантирует, что все блоки памяти будут одинакового качества, а преимущества в производительности и долговечности всегда будут одинаковыми. 

Контроллер, выбранный GoodRAM, — это Silicon Motion SM2263XT, который был представлен в начале 2018 года именно для того, чтобы дать жизнь устройствам с доступной стоимостью. Это контроллер, который не требует DRAM и существенно снижает затраты, но поддерживает хорошие уровни вычислительной мощности и передачи данных.

По такому же принципу работают все флешки, которые мы найдем на рынке. У них есть таблица соответствия между адресами хранилища, которые обрабатывает операционная система, и теми, которые фактически используются в устройстве на физическом уровне. Эта таблица в устройствах со встроенным ОЗУ временно создается в памяти ОЗУ, а затем, в соответствующее время, сохраняется в физической части диска, где нет риска потери из-за отсутствия питания (хотя для этого некоторые агрегаты имеют другие механизмы защиты). Таким образом, может показаться, что диски без DRAM менее безопасны, чем те, на которых она установлена, не благодаря системе HBM, подобной той, что есть в этом контроллере.

Контроллеры с технологией HMB (буфер памяти хоста) используют системную память для хранения этой таблицы адресов, как и устройство, если бы у него была собственная память. Таким образом, изменения в таблице выполняются быстро через системную память, и изменения сохраняются в устройстве, не влияя на производительность. Используемая оперативная память может варьироваться от 24 до 128 МБ в зависимости от устройства и его размера. HMB уже полностью интегрирован в Windows 10 и не требует дополнительных драйверов или программного обеспечения от производителя.

Скорость

Silicon Motion имеет две версии этого контроллера: SM2263 имеет DRAM, а SM2263XT, который объединяет это устройство, использует технологию HBM. Это контроллер с интерфейсом PCI Express 3.0 4x, NVMe 1.3, 4 флеш-каналами (с четырьмя Chip Enables, по одному на канал) и скоростью чтения до 2050 МБ / с и записи до 1650 МБ / с. Вычислительная мощность достигает 171 кИОП с включенным HMB и до 140 кИОП с отключенным HMB. Что при чтении, то при записи мощность обработки достигает 143kIOPs. Отличие от версии с DRAM — на 10% меньше вычислительной мощности при чтении, запись осталась прежней.

Среди других функций мы можем найти аппаратное шифрование всего устройства с использованием 256- битного AES с использованием TCG Opal и IEEE-1667 (Microsoft eDrive). Это шифрование можно включить без потери производительности устройства. Он также поддерживает проверку на четность благодаря технологии SMI NANDXtend ECC.

Скорость чтения варьируется от 1850 Мбит / с до 2050 Мбит / с между диском емкостью 256 ГБ и диском емкостью 1 ТБ. Запись имеет более заметные различия: максимум 950 Мбит / с для диска 256 ГБ и до 1650 Мбит / с для емкости 1 ТБ. Диск на 512 ГБ обеспечивает скорость чтения 2000 МБ / с и скорость записи 1600 МБ / с.

Накопитель имеет формат M.2 Socket 3 с форматом 2280 и интерфейс PCI Express 3.0 с 4x, который генерирует до 8GT, что более чем достаточно для производительности устройства и что увеличивает совместимость, поскольку делает его совместимым с разъемами типа M и B.

Его 3,9 Вт намного больше, чем 3,2 Вт предыдущего поколения, но использование формата с большим количеством модулей памяти и более мощным контроллером приближает его к устройствам с большим потреблением энергии, даже в этом случае это далеко от 7-9 Вт, что можно увидеть в самых мощных устройствах на рынке, которые используют интерфейсы PCI Express 4.0 или контроллеры высокой мощности и потребления. В режиме ожидания потребление снижено до 50 мВт.

Тестирование с установленной системой на накопителе показало такие результаты:

Как видно из теста, накопитель справляется одинаково как с небольшими файлами, так и 64-гиговыми. При этом, температура накопителя не сильно повысилась при нагрузке.

Выводы

Хотя устройства без DRAM долгое время не принимались пользователями из-за связанной с этим потери производительности, правда заключается в том, что устройства нового поколения позволяют использовать улучшения самых операционных систем, чтобы иметь временное хранилище таблиц адресации и сопоставления, которые позволяют снизить стоимость решений без значительного снижения производительности при обработке данных.

Результаты, как мы видим, отличные, и поведение устройства в повседневном использовании было на хорошем уровне. 

GoodRAM создали конкурентоспособное устройство для своего ценового диапазона. Причем эта ниша очень конкурентна и имеет множество отличных устройств. Единственное, чем можно попрекнуть производителя, что нет модели с более высокой емкостью, например, до 4 ТБ. Но, надеемся, этот недостаток скоро исправят.